企业简介
无锡华润华晶微电子有限公司是无锡华润微电子有限公司的主要成员企业，成立于2000年。公司主要制造半导体分立器件和双极电路产品。 目前公司拥有国内的半导体分立器件和双极电路圆片生产线，其中双极电路生产线年产25万片，分立器件生产线年产60万片。公司以市场开拓和芯片设计为重点，积极构建全球营销网络，产品广泛应用于通信、消费类电子和信息家电等领域，并成功研发了一批自主产品。
无锡华润华晶微电子有限公司的工商信息
- 3200001104753
- 迁出
- 有限责任公司
- 2000年02月24日
- 王国平
- 15000.000000
- 2000年02月24日 至 永久
- 江苏省工商行政管理局
- 2003年06月17日
- 无锡市梁溪路14号
- 微电子元器件及集成电路的设计、制造与销售，半导体材料制造，电子产品的制造与销售，电子专用设备、测试仪器的生产加工及相关的技术咨询服务。*
无锡华润华晶微电子有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103325780B | 一种功率集成电路 | 2016.12.14 | 本发明提供一种功率集成电路（功率IC），属于恒流二极管功率器件技术领域。该功率IC包括：恒流二极管、 |
| 2 | CN200948456Y | 半导体器件生产清洗用阶梯式冲水槽 | 2007.09.19 | 本实用新型涉及一种半导体器件生产清洗用阶梯式冲水槽，具体地说是与腐蚀槽、喷淋式预冲槽配套使用，用于半 |
| 3 | CN104135787B | 一种可调光的LED恒流驱动电路 | 2016.08.03 | 本发明提供一种可调光的LED恒流驱动电路，LED驱动电路技术领域。该驱动电路包括可控硅调光器、整流桥 |
| 4 | CN200948457Y | 半导体器件生产清洗用喷淋式预冲槽 | 2007.09.19 | 本实用新型涉及一种半导体器件生产清洗用喷淋式预冲槽，具体地说是与腐蚀槽、阶梯式冲水槽配套使用，用于半 |
| 5 | CN103632952B | 多层复合膜中悬空台阶的消除方法 | 2016.12.21 | 本发明提出了一种多层复合膜中低压氮化硅层的悬空台阶的消除方法，包括：使用四氟化碳气体作为腐蚀气体在电 |
| 6 | CN103311379B | 一种GaN基LED以及制造GaN基LED的方法 | 2016.12.14 | 本发明提供一种GaN基LED以及制造GaN基LED的方法。该制造GaN基LED的方法包括：（a）在衬 |
| 7 | CN104377141B | 检测晶片深沟槽结构的实际关键尺寸及是否过刻蚀的方法 | 2017.05.03 | 本发明公开了一种检测晶片深沟槽结构的实际关键尺寸及是否过刻蚀的方法。所述方法包括：S1、形成贯穿衬底 |
| 8 | CN106549007A | 功率IC、引线框、功率IC的封装体以及灯具 | 2017.03.29 | 本申请公开了一种功率IC，用于驱动节能灯和镇流器，功率IC包括集成在一起的第一NPN型功率三极管、第 |
| 9 | CN104347710B | 一种VDMOS器件的条形元胞结构及其制作方法 | 2017.03.15 | 本发明公开了一种VDMOS器件的条形元胞结构及其制作方法，所述条形元胞结构包括：漏区；位于漏区上的外 |
| 10 | CN102931298B | 一种GaN基LED制造工艺中ITO图形的制作方法 | 2017.03.01 | 本发明公开了一种GaN基LED制造工艺中ITO图形的制作方法，包括步骤：在衬底上依次外延生长N型Ga |
| 11 | CN106449601A | 一种半导体器件的制造方法和测试电路 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法和测试电路，该方法包括：提供具有有源区和非有源区的半导体基底；在 |
| 12 | CN106409893A | 一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | 2017.02.15 | 本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法。该方法包括：在衬底正面形成绝缘栅型晶体管主体结构后，形 |
| 13 | CN106409827A | 一种整流器件及其制备方法 | 2017.02.15 | 本发明公开了一种整流器件及其制备方法。该器件包括第一导电类型的衬底、元胞区和终端区。其中，元胞区的衬 |
| 14 | CN102938436B | GaN基高压LED制造工艺中的隔离填充制作方法 | 2017.02.08 | 本发明公开了一种氮化镓（GaN）基高压发光二极管（LED）制造工艺中的隔离填充制作方法，包括：在衬底 |
| 15 | CN102931300B | GaN基LED制造工艺中的一种背面金属反射层阵列的制作方法 | 2017.02.08 | 本发明公开了一种GaN基LED制造工艺中的金属反射层阵列的制作方法，所述GaN基LED包括衬底、外延 |
| 16 | CN106325910A | 一种程序卡和工艺程序获取方法 | 2017.01.11 | 本发明公开了一种程序卡和工艺程序获取方法，所述程序卡包括：处理控制模块，以及分别与所述处理控制模块电 |
| 17 | CN106324979A | 一种掩模版、晶圆定位板及制作方法、晶圆制作方法 | 2017.01.11 | 本发明公开了一种掩模版、晶圆定位板及制作方法、晶圆制作方法，其中，该掩模版包括掩膜图形区域和除所述掩 |
| 18 | CN106328571A | 一种用于在晶圆上生长二氧化硅的笼舟及生长方法 | 2017.01.11 | 本发明公开了一种用于在晶圆上生长二氧化硅的笼舟及生长方法，其中，该笼舟包括：第一半圆筒，所述第一半圆 |
| 19 | CN106328572A | 一种将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法 | 2017.01.11 | 本发明公开了一种将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法，包括：提供硅片，所述硅片表面固定有已完 |
| 20 | CN103376645B | 通用掩模版及其应用 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种至少用于两种光刻机的曝光作业的通用掩模版，包括：多个第一掩模版对位标记，以及多个第二 |
| 21 | CN104135788B | 一种可调光的LED恒流驱动电路 | 2016.08.03 | 本发明提供一种可调光的LED恒流驱动电路，LED驱动电路技术领域。该驱动电路包括可控硅调光器、整流桥 |
| 22 | CN103454033B | 多晶压力传感器芯片及其制备方法 | 2016.07.06 | 本发明提供一种多晶压力传感器芯片。该多晶压力传感器芯片内部设置有压力传感器电路，以及与所述压力传感器 |
| 23 | CN103151251B | 沟槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 | 2016.06.01 | 本发明提供一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transis |
| 24 | CN102817082B | 一种硅膜的制备方法 | 2016.06.01 | 本发明提供一种硅膜的制备方法，属于半导体制备工艺技术领域。该方法包括步骤：对于第一单晶硅衬底刻蚀形成 |
| 25 | CN105590850A | 一种肖特基二极管的制作方法 | 2016.05.18 | 本发明公开了一种肖特基二极管的制作方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：提供半导体基片，所述半导体 |
| 26 | CN105590966A | 一种肖特基二极管 | 2016.05.18 | 本发明公开了一种肖特基二极管，属于半导体技术领域，包括：衬底；外延层，位于所述衬底之上；终端结构，位 |
| 27 | CN105576025A | 一种浅沟槽半超结VDMOS器件及其制造方法 | 2016.05.11 | 本发明公开了一种浅沟槽半超结VDMOS器件及其制造方法，其中浅沟槽半超结VDMOS器件包括：第一导电 |
| 28 | CN105529262A | 一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 | 2016.04.27 | 本发明提供了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法，所述场效应管的制作方法包括：提供第一 |
| 29 | CN105529371A | 一种沟槽肖特基二极管及制作方法 | 2016.04.27 | 本发明公开了一种沟槽肖特基二极管及制作方法，所述沟槽肖特基二极管包括：衬底；外延层，生长于所述衬底之 |
| 30 | CN104080226B | 一种根据采样电流来控制三极管开关的电路 | 2016.04.27 | 本发明公开了一种根据采样电流来控制三极管开关的电路，其特征在于，包括：光耦，与所述光耦并联连接的采样 |
| 31 | CN103426981B | 一种GaN半导体LED芯片制作方法 | 2016.04.27 | 一种GaN半导体LED芯片制作工艺，包括：在蓝宝石衬底上生长n型GaN层、多量子阱层和p型GaN层； |
| 32 | CN105470130A | 一种局部扩铂二极管及其制作方法 | 2016.04.06 | 本发明公开了一种局部扩铂二极管及其制作方法，其中的制作方法包括以下步骤：提供半导体基片，在所述半导体 |
| 33 | CN105470365A | LED晶片定位装置、定位方法，以及LED芯片制造方法 | 2016.04.06 | 本发明公开了一种LED晶片定位装置、定位方法，以及LED芯片制造方法，其中LED晶片定位装置包括：第 |
| 34 | CN105451408A | 一种BUCK型发光二极管电路 | 2016.03.30 | 本发明公开了一种BUCK型发光二极管电路，包括：降压单元、发光二极管回路单元、N型开关管和控制单元， |
| 35 | CN105449068A | 一种LED芯片及其制作方法 | 2016.03.30 | 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，包括：衬底；外延层，所述外延层位于衬底上；透明电极层，所述透 |
| 36 | CN105405949A | 一种发光二极管灯丝及其制备方法 | 2016.03.16 | 本发明公开了一种发光二极管灯丝及其制备方法，其中，所述发光二极管灯丝包括：第一基板，第二基板，与所述 |
| 37 | CN105405933A | 一种LED晶片粘合方法 | 2016.03.16 | 本发明公开了一种LED晶片的粘合方法，包括：制备粘合剂，将粘合剂涂覆到LED晶片或/和衬底基片上，将 |
| 38 | CN103320868B | 扩散炉 | 2016.03.02 | 本发明提供一种扩散炉，其包括炉管、炉门、穿过炉门并延伸到所述炉管内的桨，其中，所述扩散炉还包括设置在 |
| 39 | CN105376899A | 一种BUCK型发光二极管电路 | 2016.03.02 | 本发明公开了一种BUCK型发光二极管电路，包括：降压单元、发光二极管回路单元、P型开关管和控制单元， |
| 40 | CN105336775A | 一种VDMOS器件的元胞结构及其制作方法 | 2016.02.17 | 本发明公开了一种VDMOS器件的元胞结构及其制作方法，其中，元胞结构包括：漏区；位于所述漏区上的第一 |
| 41 | CN103186154B | 一种恒流源电路结构 | 2016.02.10 | 本发明提供了一种恒流源电路结构，它包含：第一晶体管；以及第二晶体管，第一晶体管的源极和其栅极耦合，第 |
| 42 | CN103187346B | 用于夹持晶圆以对其进行腐蚀的夹具 | 2016.02.10 | 本发明提供一种可夹持晶圆的夹具。本发明所述的用于在半导体晶圆制造过程中夹持晶圆以对其进行腐蚀的夹具， |
| 43 | CN105226142A | 一种氮化镓基高压发光二极管及其制作方法 | 2016.01.06 | 本发明公开了一种氮化镓基高压发光二极管及其制作方法，其中，所述制作方法包括：在衬底上形成第一隔离绝缘 |
| 44 | CN102625516B | 功率IC、引线框以及包括该功率IC和引线框的封装结构 | 2016.01.06 | 本发明提供一种功率IC、引线框以及包括该功率IC和引线框的封装结构，属于功率IC技术领域。其中一种功 |
| 45 | CN201392830Y | 集成封装的TT框架结构 | 2010.01.27 | 本实用新型涉及一种集成封装的TT框架结构，具体地说是主要用于半导体器件制造领域。每个组装单元中包含装 |
| 46 | CN201857427U | 硅杯腐蚀夹具 | 2011.06.08 | 本实用新型涉及一种硅杯腐蚀夹具，其包括安装块，所述安装块的中心区设有腐蚀孔，安装块的一端凸设有定位块 |
| 47 | CN103668101B | 沉积成膜装置中所使用的晶圆固定装置 | 2015.12.16 | 本发明提供一种沉积成膜装置中所使用的晶圆固定装置，属于薄膜沉积技术领域。该晶圆固定装置，其包括：定位 |
| 48 | CN103508409B | 一种硅膜腐蚀厚度的控制方法 | 2015.12.09 | 本发明涉及一种硅膜腐蚀厚度的控制方法。该方法包括下述步骤：测试模块的形成步骤，在硅片正面作为测试模块 |
| 49 | CN103187330B | 晶圆制造过程中Hfe测试方法 | 2015.12.09 | 本发明提供一种晶圆制造过程中Hfe的测试方法。该方法包括待进行发射区扩散之前，腐蚀晶圆背面第一设定区 |
| 50 | CN103151289B | 晶舟、晶舟转移装置以及包括其的晶片转移系统 | 2015.11.25 | 本发明提供一种晶舟、晶舟转移装置以及包括其的晶片转移系统，属于半导体晶片的传输转移技术领域。本发明提 |
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